本文摘要：据报，全球领先的半导体行业沉积设备供应商爱思强（Aixtron）日前回应，英国普莱思半导体（Plessey）早已采购了其AIXG5+C行星式反应器平台。Plessey计划用于该金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统来减少硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶片的生产能力，以用作下一代MicroLED应用于。

据报，全球领先的半导体行业沉积设备供应商爱思强（Aixtron）日前回应，英国普莱思半导体（Plessey）早已采购了其AIXG5+C行星式反应器平台。Plessey计划用于该金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统来减少硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶片的生产能力，以用作下一代MicroLED应用于。AIXG5+CMOCVD系统获取自动卡匣式（C2C）晶圆传输模块，具备两个独立国家的腔室配备选项，可以构建8*6英寸或5*8英寸GaN-on-Si晶圆在堵塞的卡匣环境中的自动读取和去除。

爱思强回应，新的反应器平台的自动化洗手技术可保证设备在每次运营时都正处于洗手状态，从而有助减少晶圆缺陷率并明显增加停机确保时间。新的设备还具备更慢的完结和加热以及更高的基座修理温度，以延长配方时间。AIXG5+C反应器平台将反对Plessey用于该公司专有的GaN-on-Si技术提升其单片MicroLED研发能力的计划。

Plessey回应，其MicroLED具备极高的亮度和像素密度，并且功耗极低。这些性能特征有可能对还包括LCD和OLED在内的传统表明技术的许多现有应用领域带给一定的冲击。这种MicroLED显示器融合了极高密度的RGB像素阵列以及CMOS背板，为可穿着电子设备和头戴式显示器以及增强现实和虚拟现实系统获取近于高亮度、较低功率和低帧亲率的图像源。

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