VeecoInstrumentsInc．与ALLOSSemiconductorsGmbH8日宣告获得又一阶段的合作成果，双方共同努力，致力于为microLED生产应用于获取业内领先的硅基氮化镓外延片产品技术。两家公司最近合作的宗旨是，在为全球范围内多家卓越的消费类电子产品公司生产外延片的同时，展出ALLOS200mm硅基氮化镓外延片产品技术在VeecoPropeltrade;MOCVD反应器上的可拷贝性。

“要将microLED技术转化成为生产，仅有依据单项指标展出主导价值是过于的。我们必需保证每种外延片的整套规格都具备出众的可重复性和收益，”VeecoCompoundSemiconductor业务部门高级副总裁兼总经理PeoHansson博士回应。

“此次顺利牵头再度认同Veeco的杰出MOCVD专业知识与ALLOS硅基氮化镓外延片产品技术强强融合，需要为客户获取经验证的、可信的创意方案，加快前进microLED应用于。”作为标准，传统LED技术通过分类和分级构建波长一致性。但鉴于microLED尺寸小、数量多而无法分类和分级，因此，外延沉积的一致性显得更为重要。

要使大批量生产microLED显示器的允诺变为现实，最重要的顺利要素在于构建极好的升空波长一致性，这样就不必须展开分开的microLED芯片测试和分选。根据业内目标拒绝，外延片分级不应介于＋／－1nm（上限）和＋／－4nm（下限）之间，各不相同应用于和传质方法。通过合作项目，Veeco和ALLOS通过标准偏差仅有为0．85nm的晶片更进一步提高至关重要的波长一致性，这在生产系统方面归属于行业首例。“Veeco和ALLOS对晶片之间的可拷贝性展开了检验，所有晶片的平均值波长标准偏差为1．21nm，且峰值波长介于＋／－0．5nm范围内。

由此，我们朝着＋／－1nm外延片分级的目标又迈向一大步，”ALLOS首席执行官BurkhardSlischka回应。“我们的技术早已可以在直径200mm的晶片上用于，这样就能用于低成本、低收益的硅系列展开microLED芯片生产。

此外，我们对于300mm晶片应用于有数明晰的发展蓝图。”作为下一个根本性技术改变主题，microLED倍受显示器技术创新者的注目。

据调研公司YoleDéveloppement，到2025年，市售microLED显示器数量有可能超过3．3亿台。边长大于100μm的microLED技术被视为研发功耗更加较低的旗舰显示器的最重要驱动因素，涉及技术允诺助长了这一悲观情绪。但是，材料成本高、收益较低以及microLED传质技术产量仍然妨碍着此类显示器的研发。

此次技术牵头有效地解决问题了这些挑战，Veeco和ALLOS将之后与客户合作，目的更进一步提高硅基氮化镓外延片和microLED传质技术。

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